SJ 50033.95-1995 半导体分立器件3DG144型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范
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ID： |
26F9A7A37C864C198F7C8200F000675D |
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文件大小(MB)： |
0.61 |
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11 |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/95-95,半导体分立器件,3DG144型NPN硅高频,低噪声小功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DG144 NPN silicon,high-frequency Low-noise Low-power transistot,1996-06/4 发布1996-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部 批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DG144型NPN硅高频低噪声小功率晶体管 a 50033/95-95,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DG144 NPN silicon,high-freguency Low?noise Low-power transistor,范,1.I主题内容,本规范规定了 3DG144型NPN硅高频低噪声小功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的产品保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587—84 双极型晶体管测试方法,GB 7581—87,GJB 33—85,GJB 128—86,半导体分立器件外形尺寸,半导体分立器件总规范,半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,中华人民共和国电子工业部1996-06-14发布1996 10-01 实施,—1 —,SJ 50033/95-95,引出端材料应为可伐或其它金属。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。引出端材料,和涂层要求选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定（见金3）,3.2.2器件结构,采用NPN硅外延平面型结构,コ,:卜;畫墨GB 7581（半导体分立器件外形尺寸）的A4-O1B型及如下规定,见图1,L发射极,2 .基极,3 .集电极,4 .地,图!外形尺寸,2,SJ 50033/95-95,mm,A4-01B,符in nom max,A 4.32 5.33,如2.54,林1 1.01,例2 0.407 0.508,初5.31 5.84,4.53 4.95,■,J 0.92 1.04 1.16,k 0.51 1.21,L 12.5 25.0,レ1.27,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型号Ta = 25 匕,(W),尸ノ),Tc = 25 匕,(W),VcBO,(V),VcEO,(V),Vebo,(V),人,(mA),T旳和ち,（匕）,3DG144 0.1 0.3 15 12 3 20 ― 65 ~ + 200,注:D Ta >25匕,按0.57mW/匕的速率线性降额,2）7（：>25匕,按1.711f卬ハ3的速率线性降额0,3.3.2 主要电特性（Ta = 25匕）,3,SJ 50033/95-95,参 数,型 号,极Hi值,符号（单位） 测试条件最小值最大值,五FE1 Vce=6V,Ic = 0.2mA,3DG144,A~C,20,*,九FE2 Vce=6V,Iq= 1mA,40,五 FE3 ' Vce=6V,I c = 2mA,40 200,五FE4 VCE = 6V,I q~5mA,30,/t(GHz) Vce = 6V,Je = 2mA,f = 400MHz,*,2,CoBCKpF) Vcb = 6V,/E = 0,f= 1MHz,1.5,VBE(?t)(V) Ic = 5mA,IB- 1mA,0.95,Vce(皿)(V),I5mA,/B= 1 mA,0.25,Gp(dB),.,Vce = 6V,『e = 2mA,f =600MHz,凡o = 500,12,F(dB) Vce = 6 V,[e = 2 mA,/= 600MHz,P も=50Q,3DG144A 3,3DG144B . 2,3DG144C WWW 1.5,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5标志,器件的标志应按GJB 33的规定,4质量保证规定,4.1抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2鉴定检验,SJ 50033/95-95,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1极,限值的器件应予剔除,筛 选,（见 GJB 33 表 2）,则试和试验,7、中间参数测试,—■一一.. I .,IcBOl 和る FE3,8、功率老化见 4.3.1,9、最后测试,按本规范表1的A2分组;,△「而1 =初始值的100 %或15nA,取其较大者;A九FE3= ±20%,4.3.1功率老化条件,功率老化条件如下:,7\ = 25±3じ,Vcb = 8V,Ptot = 100mW,注:不允许器件上加散热器或强迫风冷,4.4质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检……
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